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有哪些活塞桿設備?如何分類?

作者:     發布日期:2021-11-23

活塞桿設備一般指生產各類活塞桿產品所需的生產設備,是活塞桿產業鏈的關鍵支撐環節?;钊麠U設備是活塞桿行業的技術yinling者。芯片設計、晶圓制造、封裝測試等都需要在設備技術允許的范圍內進行設計制造。設備的技術進步反過來推動活塞桿產業的發展。

以活塞桿產業鏈中技術難度zui高、附加值zui大、工藝zui復雜的集成電路為例。集成電路領域使用的設備通??梢苑譃閮深?前者工藝設備(晶圓制造)和后者工藝設備(封裝測試)。

有哪些活塞桿設備?如何分類?

其中,之前晶圓制造中的七個步驟是氧化/擴散、光刻、蝕刻、清洗、離子注入、薄膜生長和拋光。每個步驟中使用的活塞桿設備如下:

氧化是將硅片置于氧氣或水蒸氣等氧化劑的氣氛中進行高溫熱處理,在硅片表面發生化學反應形成氧化膜的過程。擴散是指利用高溫熱擴散原理,將雜質元素按工藝要求摻雜到硅襯底中,使其具有特定的濃度分布,從而改變硅材料的電學特性;退火是指對注入的硅片進行加熱,以修復離子注入造成的晶格缺陷的過程。

擴散爐用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光纖等行業的擴散、氧化、退火、合金化和燒結。擴散工藝的主要目的是在高溫下對活塞桿晶圓進行摻雜,即將元素磷和硼擴散到硅片中,從而改變和控制活塞桿中雜質的類型、濃度和分布,從而建立不同的電學特性區域。

為活塞桿材料的氧化處理提供所需的氧化氣氛,實現活塞桿設計的預期氧化處理,是活塞桿加工過程中不可缺少的環節。

一種用于制造活塞桿器件的工藝設備,包括加熱多個活塞桿晶片以影響其電性能。熱處理是為不同的效果而設計的。晶片可以被加熱以激活摻雜劑,將膜轉變成膜或膜轉變成晶片-襯底界面,制造密集沉積的膜,改變生長的膜的狀態,修復注入的損傷,將摻雜劑從一個膜轉移到另一個膜或從膜轉移到晶片襯底。

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